研制成功！中子探測器關鍵技術實現國產化

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近日，中國散裂中子源（CSNS）探測器團隊利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置，成功制備出滿足中子探測器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品，單片面積達到1500mm×500mm，薄膜厚度1微米，全尺寸范圍內厚度均勻性優于±1.32%，是目前國際上用于中子探測的最大面積的碳化硼薄膜。

高性能大面積碳化硼薄膜樣品。受訪單位供圖。

據了解，經過多年技術攻關和工藝試制，團隊攻克了濺射靶材制作、過渡層選擇、基材表面處理等對鍍膜質量影響大的關鍵技術，利用該裝置制備了多種規格的碳化硼薄膜，并成功應用于CSNS多臺中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測器，實現了中子探測器關鍵技術和器件的國產化，為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測器提供了強有力的技術支撐。